设备将会在半导体制造中持续发挥及其重要的作用，其应用场景范围将会扩大，包括新材料的开发和更高级别的工艺。随着制程的增加和新产品的开发，

  ALD技术在逻辑和存储领域得到普遍应用，PECVD无法替代ALD在存储领域的优势。2023年可能是国产ALD设备量产的起点，存储领域需求量更大。铪和锆是主要的ALD材料，二氧化硅占据了存储领域的大部分需求。ALD需求量会随着制程增加而增加，未来可能有新设备或工艺替代ALD。微导在High-K市场方面占50%的份额，在ALD方面更强。PECVD在抗反射层的工艺量最大，可用于所有真空镀膜。未来GUA的发展可能会影响ALD的使用。

  1.ALD技术在28纳米和40纳米的逻辑领域得到普遍应用；存储领域的特殊结构中，ALD展现出了其优势，无法被PECVD替代。在存储领域，ALD技术难点较高，PECVD无法替代；存储单元等特殊结构中，ALD会体现出其优势。ALD设备在存储方面的需求量会比逻辑领域更大，需要仔细考虑上下电极板以及VA通道等因素。

  2.2023年可能是国产ALD设备量产的起点，铪和锆是主要的ALD材料，二氧化硅占据了存储领域的大部分需求。ALD需求量会随着制程增加而增加，未来可能有新设备或工艺替代ALD。CCP是最快能够量产的工艺之一。华创和拓荆有较强的碳基和金属基技术储备。

  3.ALD和PELD都是高温下的薄膜沉积技术，但ALD的控温度比较高，要到600+度，630-650摄氏度，传统的PECVD温度很难达到。高温ALD也需要加热，可能得要加到400度左右，目前在国内来讲还是个技术难点。

  4.存储应该比逻辑还要多一点，因为它会涉及上下电极板、VA通道、contact这一些都会有用，可能存量还要多一点。在存储领域，ALD技术难点较高，PECVD无法替代；存储单元等特殊结构中，ALD会体现出其优势。

  ALD设备在2023年将迎来大量替代的起点，国产化率预计达到30%。微导在HiK领域占据市场占有率，但在商业产业化方面需要提高。ALD的不一样的材料对应到工艺上有差异，需要针对材料特性进行设计。二氧化硅在ALD领域占据较大比例，因为它在逻辑、direct、manner等领域都有应用。ALD设备的国产化率不仅仅涉及硬件电器，还包括反应物等方面。微导在ALD领域的技术水平相对来说比较强，但在CVD方面相对较弱。ALD设备的差异化主要在propose方面，国内起步相对较晚。拓荆和华创最初的入手方向不同，拓荆从碳基入手，华创从PEALD liner入手。

  1.ALD设备在2023年将迎来大量替代的起点，国产化率预计达到30%。微导在ALD领域的技术水平相对来说比较强，但在CVD方面相对较弱。ALD设备的国产化率不仅仅涉及硬件电器，还包括反应物等方面。ALD设备的差异化主要在propose方面，国内起步相对较晚。

  2.ALD的不一样的材料对应到工艺上有差异，需要针对材料特性进行设计。二氧化硅在ALD领域占据较大比例，因为它在逻辑、direct、manner等领域都有应用。

  3.微导在HiK领域占据市场占有率，但在商业产业化方面需要提高。微导在ALD领域的技术水平相对来说比较强，但在CVD方面相对较弱。微导的基础是TAM的ALD，主要以氧化铝这一块为突破口，在热管理这一块做的应该目前是国内最好。

  4.拓荆和华创最初的入手方向不同，拓荆从碳基入手，华创从PEALD liner入手。

  6.二氧化硅在ALD领域占据较大比例，因为它在逻辑、direct、manner等领域都有应用。

  8.ALD设备在2023年将迎来大量替代的起点，国产化率预计达到30%。微导在ALD领域的技术水平相对来说比较强，但在CVD方面相对较弱。

  ALD设备将会在半导体制造中持续发挥及其重要的作用，其应用场景范围将会扩大，包括新材料的开发和更高级别的工艺。随着制程的增加和新产品的开发，ALD设备将会有更多的需求。其成本的降低将会促进其在半导体制造中的广泛应用，特别是在传统PECVD不足以满足要求的情况下。因此，ALD设备将会在半导体制造中成为不可或缺的工艺之一。

  1.ALD是半导体制造中的重要工艺之一，其应用范围广泛，包括氧化铪、氧化锆等材料的制备。随着半导体制造的发展，ALD设备将会在制程的增加和新产品的开发中扮演越来越重要的角色。

  2.随着制程的增加和新产品的开发，ALD设备将会有更多的需求。特别是在传统PECVD无法满足规定的要求的情况下，ALD设备将会得到更多的应用。因此，ALD设备的需求量将会持续增加。

  3.ALD设备的应用场景范围将会扩大，包括新材料的开发和更高级别的工艺。ALD设备将会在制造更高级别的产品时得到更多的应用。因此，ALD设备的应用范围将会不断扩大。

  4.随着ALD设备的成本降低，其在半导体制造中的应用将会更加广泛。ALD设备的成本降低将会促进其在半导体制造中的广泛应用，特别是在传统PECVD无法满足要求的情况下。

  5.在传统PECVD无法满足要求的情况下，ALD设备将会得到更多的应用。ALD设备在制造更高级别的产品时具有更高的精度和更好的控制能力，因此在一些特殊的制造工艺中，ALD设备将会替代PECVD。

  6.随着半导体制造的发展，ALD设备将会在制程的增加和新产品的开发中扮演逐渐重要的角色。其应用范围将会扩大，包括新材料的开发和更高级别的工艺。因此，ALD设备将会在半导体制造中成为不可或缺的工艺之一。

  7.随着半导体制造的发展，ALD设备将会持续发挥重要作用。其应用范围将会不断扩大，包括新材料的开发和更高级别的工艺。因此，ALD设备将会在半导体制造中持续发挥重要作用。

  8.ALD设备在半导体制造中具有独特的优势，尤其是在制造更高级别的产品时具有更高的精度和更好的控制能力。虽然可能会有其他设备的出现，但是ALD设备将会在半导体制造中持续发挥及其重要的作用。

  目前金属ALD设备能够生产的工艺与HiK相似，市场上HiK、金属和二氧化硅的ALD设备单价不能具体确定，预计未来2-3年内需求量开始上涨不会太大，国内厂商的ALD设备产量可能会受到制程扩张速度的限制，但预计国产化率能达到40%以上。微导、Naura和北方区的市场量可能会高一些，但每家都会有市场占有率，量大量少不一。PECVD工艺中的抗反射层是一个重要的工序，需求量可能比二氧化硅的ALD还要高。目前ALD技术的进展可能会受到功函数系列和ALD射线的限制，但随着光刻机技术的进步，可能会减少对ALD的需求。ALD技术的未来发展还需要看工艺的进展情况，但往上或往下都有可能。

  1.目前金属ALD设备能够生产的工艺包括PVT、上下电极版、cap、威尔通道等，与HiK工艺相似，需求比例大概为10%、10%、80%。

  2.目前市场上HiK、金属和二氧化硅的ALD设备单价不能具体确定，但二氧化硅的价格大概在3-4千万元，而HiK的价格大概在5,000万元左右。

  3.预计2022年中国进口ALD设备的数量大概在80-100台之间，未来2-3年内需求量开始上涨不会太大。

  4.国内厂商的ALD设备产量可能会受到制程扩张速度的限制，但预计国产化率能达到40%以上。

  5.微导、Naura和北方区的市场量可能会高一些，但每家都会有市场占有率，量大量少不一。

  6.PECVD工艺中的抗反射层是一个重要的工序，占据了至少50+层，需求量可能比二氧化硅的ALD还要高。

  7.目前ALD技术的进展可能会受到功函数系列和ALD射线的限制，但随着光刻机技术的进步，可能会减少对ALD的需求。