ayx爱游戏官网

Sc掺杂Al2O3晶体及外场效果下Al2O3晶体的第一性原理核算

来源: ayx爱游戏官网 时间: 2023-09-27 11:44:28

  免费外文文献都是OA文献,本网站仅为用户更好的供给查询和署理获取服务,本网站没有原文。下单后咱们将选用程序或人工为您诚挚获取高质量的原文,但由于OA文献来历多样且改变频频,仍或许会呈现获取不到、文献不完整或与标题不符等状况,请知悉并体谅

  选用GGA-PW91办法核算了未掺杂时Al2O3晶体和不同电场下Al2O3晶体的能带结构、态密度,并核算了Sc掺杂Al2O3晶体的能带结构和态密度.依据成果得出:未掺杂时Al2O3晶体能隙值为6.6396 eV;跟着Z轴方向的外电场增大,Al2O3晶体能隙值逐步变小;O 2s态和2p态的态密度跨度变大,并向低能带偏移;Al原子的3s、3p态的态密度低能带跨度变大,高能带向费米面偏移;Sc掺杂Al2O3晶体后能隙值变小,在高能区产生了新的能带并向费米面偏移.

  机译:根据Al2O3和MgB4O7的根据Al2O3和MgB4O7的2D光学影响的发光剂量的进一步开展

  机译:运用掺Sr的Al2O3栅介质的高迁移率喷墨印刷铟镓锌氧化物薄膜晶体管

  机译:硝基甲烷和1,1-二氨基-2,2-二硝基乙烯(FOX-7)分子在al2O3(0001)外表吸附的第一性原理核算

集团首页| ayx爱游戏全站| 投资者关系| 科技创新| 人力资源| 文化 & 责任| 联系我们| 网站地图|

版权所有 爱游戏全站(中国)官方网站 - IOS/Android通用版/手机app下载 京ICP备05024156号-1 京公网安备 京ICP备05024156号-1

地址:中华人民共和国北京市海淀区西直门北大街62号 网站地图